| 电弧 |
电弧是自发的电弧放电，从而对镀膜质量产生负面影响。 |
| 电弧管理 |
为了应对突然的电弧放电，人们使用了电弧管理系统。通过反应快速的传感器快速、准确地探测到正在产生的电弧，并作出响应。 |
| 布里兹曼•斯托克巴杰法 |
也称作垂直拉制法。在封闭杯的坩埚中加热多晶基材，然后以较低的冷却速率使其慢慢冷却。石墨感应器用于传递热量。将坩埚移出射频场时，晶体也随之冷却变硬。换个方法，也可以通过降低电源输出功率达到相同效果。 |
| CO2 激光 |
二氧化碳激光是受激的气体激光，波长为 10.6 μm （远红外），广泛用于材料加工工艺。 |
| CVD |
化学气相沉积 (CVD) 技术能在各种不同质量的材料表面沉积一层镀膜。由气态物质生成固态的镀膜材料，然后以晶态或非晶态的形式沉积在需要镀膜的材料（基材）上。 |
Czochralski法
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也称为坩埚拉制法。将需要处理的材料在一个坩埚中熔化。单晶晶核逐渐靠近浴炉表面的中心，并与其接触。在毛细作用下，液体沿着晶核升高，形成弯月面，产生液体-固体-气体的分界面。晶核然后被慢慢地向上拉伸，从而形成单晶。始终使单晶保持旋转，单晶就生长成晶格。 |
| 掺杂 |
在某种材料中有针对性地掺入杂质，通常浓度很小。主要应用于半导体领域的电导率调节。 |
| 晶体外延生长 |
单晶镀膜在相同材料的单晶基材上生长，同时保留晶体结构。 |
| 半导体 |
由于其电导率，是既可视为导体也可视为绝缘体的固体。电导率在很大程度上取决于温度，受到掺杂程度的影响。生产半导体的主要材料为硅。 |
| 感应 |
通过周围磁场随着时间交替变化而在导体中产生电流。 |
| 感应加热 |
感应加热是通过电磁感应来加热金属物件的过程。所有电导性材料均可被感应加热。 |
| 感应耦合等离子体 |
交流电流过线圈，在气体中感应生成电流，电流又使带电粒子升温，并击穿气体产生等离子体。感应线圈不需要再反应腔体内。 |
| 感应器 |
在感应加热过程中用于产生工件所在的电磁场。用交流电来产生电磁场。 |
| 离子植入 |
粒子束法：通过轰击基材表面植入高能粒子。常见于微电子领域，用于半导体掺杂和金属表层处理以提高其机械性能。 |
| 同轴电缆 |
具有同心结构的双芯电缆。通过绝缘体或电介体将内层导体和外层导体隔开。这样的布置方式降低了电缆外的电磁场。同轴电缆常用于连接高频电源和匹配箱。 |
| 同轴变压器 |
一种构造类似同轴电缆的特殊变压器，次级线圈包裹住初级线圈。主要用于减弱感应器处的高频电压。 |
| 电容器 |
电容器存储电荷，通过与电感线圈串联或并联，能在感应加热电源中形成谐振电路。 |
| 磁控溅镀 |
在采用磁控溅镀工艺时，除了电场之外在阴极后面还施加了一个磁场。此磁场将等离子体中的电子导向靶材表面，因而提高了沉积溅射率。 |
| 匹配箱 |
通过滤波器和谐振电路，使阴极的阻抗与电源输出阻抗相匹配的匹配网络。 |
| 低温等离子体 |
低温等离子体是指电能低于 10 eV 或 105 K、电子密度从 1014 到 1024 m-3 的气相等离子体。通常，低温等离子体在很低的密度时具有很小的电离度，也就是说离子和电子的数量比中性粒子（原子或者分子）少得多。所有低温等离子体的主 要共同特征是，等离子体内部的不同粒子可能具有不同的温度或者能量。这就是说，气体保持相对低温，但是某些粒子尽管如此仍携带很高的能量（例如日光灯 管）。 |
| 等离子体 |
在物理上，人们将等离子体成为具有电子特征的电离气体。如果向气体中施加巨大的能量使一部分原子电离出来，就会产生等离子体。等离子体总的来说是中性的，因为带正电和带负电粒子的数量基本上相同。 |
| 等离子体激活 |
在等离子体的作用下激活一个表面，例如通过去除钝化物（氧化层），以及为了后续（镀膜）工艺对表面进行准备，例如涂镀镀膜、涂漆等。 |
| 等离子体激发 |
当固体材料被加热后，其变成液体甚至气体。当温度继续升高，气体颗粒的热动能变得很高，以至于电子在碰撞过程中从分子或原子中分离，进而导致等离子体激发。 |
| 等离子体镀膜 |
工作气体离子轰击靶材表面，从而使靶材颗粒沉积在基板上的过程。等离子体在大多数先进的真空镀膜工艺（例如PVD、CVD）中都可以使用。成膜过程在等离子体中发生；等离子体的高能量可以提高镀膜质量（例如粘附）。现代的PVD及CVD工艺均基于等离子体。 |
| PECVD |
一种通过等离子体激发化学反应的 CVD 工艺（PECVD，等离子体增强化学气相沉积）。通过吸收来自等离子体的能量，可以在低于 500° C 的较低温度下产生化学反应。PECVD 主要用于工具镀膜和微电子行业。 |
| 等离子体聚合 |
在等离子体（或者紫外线）的作用下，有机或者无机聚合物从单体蒸汽中析出。例如在太阳能行业中用作反射镜的防护层，在汽车中用在大灯上，或者用于生产薄膜。 |
| 等离子体源 |
在利用静电放电生成等离子体时，直流电和交流电进行从高频到微波的大范围放电。随着激发频率越来越高，可以实现更高的离子密度。脉动的和其它随着 时间变化的等离子体可以使等离子在短时间内聚集巨大的能量，并且有针对性地控制这个过程，从而例如发生能量弛豫过程或者后续反应，并且将其用于反应工艺。 |
| 等离子体刻蚀 |
是一种通过利用等离子体的相互作用在基材上形成挥发性反应物的涂镀技术。这种相互作用可以是来自化学反应（反应性等离子体刻蚀），也可以是物理现象（溅射表面），然后就使材料涂镀在基材上。这种工艺主要用在半导体工业。 |
| 等离子体热处理 |
是一种在等离子体作用下的热化学工艺，通过这种工艺可以大大降低工件在处理时的温度。 |
| PVD |
物理气相沉积：利用物理工艺（蒸发、用高能离子轰击等）在真空中涂镀一种材料（靶材）。这种镀膜材料随即从气态变为固态，沉积到基材上。PVD 工艺适用于在相对比较低的温度下镀膜。 |
| 高温计 |
用于非接触式温度测量的仪器，主要功能是探测从一个物体散发出的、一定波长范围内的热辐射。由此可以实现非接触式测量。 |
| 反应性磁控溅镀 |
在处理腔内，向工作气体中加入反应气体。通过等离子体电离出来的离子在真空室内与溅射出来的镀膜原子发生反应。而后，由此产生的反应物沉积在基材表面。 |
| 谐振电路 |
用于产生电谐振的电路。理想的（无损失）的谐振电路只由一个电感器和一个电容器组成；实际的（有损失的）谐振电路还要配有负责缓冲振荡的欧姆电 阻。谐振电路分为并联和串联谐振电路。每个实际谐振电路的主要指标都是谐振频率和功率因素。功率因素反映了无功功率和有功功率的比例。 |
| 溅镀 |
指的是一个物理过程，在这个过程中原子在高能离子的轰击下从固体（靶材）中脱落，转变为气态。脱离出来的粒子沉积在基材上，形成镀膜。镀膜率相对比较低，但是镀膜特别厚、平整。溅镀工艺主要应用在微电子产品、光学仪器和工具的镀膜上。 |
| 基材 |
基材是指需要镀膜的对象。在芯片工业中可能就是硅晶圆，在其它用途中可能将玻璃用作液晶屏幕或者光伏电池的基材。基材还可以是纺织品、薄膜和塑料。 |
| 靶材 |
靶材是等离子体溅射工艺中需要溅射的材料。 |
| 蒸发 |
镀膜材料在真空中蒸发（例如通过电阻加热器或者用电子束加热）。蒸汽沉积在基材上。通过汽化可以实现很高的镀膜率，但是由于没有等离子体的作用，镀膜不再十分严密。例如用在大面积镀膜上。 |
