目前主要的工艺包括以下几种：

　　物理气相沉积(PVD)：主要包括磁控溅射与电子束蒸发/电子束热蒸发，因其对环境清洁无残留特性成为半导体工艺中制备金属铝引线或金属钌薄膜时广泛使用的技术路线选择。

　　化学气相沉积(CVD)：以等离子体或热壁活化前驱气分子促进化学反应在基材表面直接生长各类非晶、单晶、复合结构半导体或氧化物隔离保护介质薄膜。

　　分子束外延(MBE): 凭借原子层级生长可控、低温非平衡沉积条件被超精细多层二维异质结的研制视为不可代替的关键平台之一，推动自旋电子器件的研制。

　　原子层沉积(ALD)：具备自限制生长机制保证大体积复杂几何结构基材上的高均匀全覆盖包覆生长为下一代三维集成芯片封装、量子器件等前沿科学问题开发与材料优化提供技术可能。

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