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真空镀铝技术分析及故障排除
发布时间:2014-09-04 浏览:  次

  1.镀铝层阳极氧化故障的排除

  氧化层表面有点状痕迹

  (1)预熔时电流过高或未加挡板。应适当降低预熔电流及加设挡板。

  (2)蒸发电流过高。应适当降低

  氧化层表面有流痕印迹

  (1)镀件表面清洁不良。应加强清洁处理。

  (2)擦拭镀件时蘸用乙醇过多。应减少乙醇的蘸用量。

  (3)手指接触镀件表面后留下指印。应禁止手指接触镀件表面。

  (4)唾液喷溅到镀件表面,使镀层表面产生圈状印迹。操作者应带上口罩

  氧化层表面有灰点

  (1)真空室底盘或室壁太脏。应使用乙醇擦拭干净。

  (2)夹具太脏。应按工艺规程定期清洗夹具

  氧化层表面发红

  (1)阳极氧化电压偏低,氧化层厚度不够。应将电压提高到120V左右。

  (2)氧化时间太短,导致阳极氧化后表面发红。应适当延长氧化时间

  氧化层表面发花

  (1)氧化电压太高,氧化层部分发蓝。应适当降低电压。

  (2)各氧化点的电压或氧化时间不相同。应使各氧化点的电压和氧化时间保持一致。

  (3)电解液温度太高。应适当降低

  氧化层表面发黄

  (1)氧化电压太高,氧化层太厚。应适当降低电压。

  (2)氧化时间太长。应适当缩短。

  (3)氧化点太多。应适当减少

  氧化层表面有灰白细点

  (1)溶液中铝含量增加。应更换部分溶液。

  (2)电解液温度太高。应适当降低。

  (3)镀件水洗不足,表面残留电解液,在水分或潮湿气体作用下形成灰白色的氢氧化铝细

  点。应将氧化后的镀件表面用蒸馏水洗净电解液,然后擦干,最好是将氧化后的镀件擦干后

  放人无水乙醇中浸1-2h,然后加温到12.0~C保温数小时

  氧化后镀层起泡脱落

  (1)镀件表面油a8未除净。应加强脱脂处理。

  (2>真空度太低。应适当提高蒸发时的真空度。由于铝是易氧化的金属,又容易吸收氧,

  在低真空度下蒸发,会因吸收剩余气体而形成茶褐色的氧化膜,导致反射率降低,镀层易起泡

  脱落。通常预熔的真空度为0.067Pa;蒸镀装饰性的铝膜,蒸发时的真空度可适当低一些,一

  般和预熔的真空度相同;蒸镀质量要求高的铝膜,真空度应当高一些,一般为(4—6.7)x10”

  h。

  (3)镀件表面有异物附着。可实施离子轰击。一般蒸镀铝膜时进行离子轰击的工艺条件

  为:电压2—3kV;电流60—140mA;时间5—30min

  氧化后镀层露底

  镀铝层太薄。应适当延长蒸镀时间,增加膜层厚度。通常,铝膜厚度为(5—20)xlo—3mm,

  控制其厚度主要采用计时法,亦可根据膜层的透光程度来判断膜厚,这些方法都需要操作人

  员具有丰富的实践经验才能控制,但对装饰镀层用上述方法已足可满足要求

  氧化层厚度不足

  (1)电解时间太短。应适当延长。

  (2)氧化电压偏低。应适当提高。

  (3)接触不良。应改进接触方式,阳极(镍针)与镀件表面铝层必须接触良好。

  (4)接触点的数量不够。应增加接触点。对于面积较大的镀件,应在120~的分度线上设三个氧化点。

  (5)电解液温度偏高。应适当降低。

  (6)接触点被击穿。应变换接触点

  氧化层表面有针孔

  (1)镀铝层太薄。应适当延长蒸发时间。

  (2)静电除尘不彻底。应严格按照工艺要求进行静电除尘。

  (3)离子轰击电流太大,时间太长。应适当减小离子轰击电流,一般60—140mA。离子轰击

  规范应视镀件材质的耐热程度来调整,以防镀件变形。

  (4)真空室和夹具太脏。应定期清洁真空室和夹具

  氧化层脱边

  (1)镀件边缘清洁不良,有抛光粉、汗渍和污物等。应加强镀件边缘的清洁,擦拭时应带上

  工作手套。

  (2)夹具不清洁。应彻底清洁夹具,特别应注意清洁夹具与镀件边缘接触的部位

  氧化层耐磨和耐蚀性能不良

  (1)电解液温度偏高。应适当降低。

  (2)氧化电压偏低。应适当提高。

  (3)电解时间太长。应适当缩短。

  (4)电解液浓度过高。应适当降低。

  (5)镀铝层被污染。应防止镀件污染

  氧化电压升不高

  (1)接触点被击穿。应变换接触点。

  (2)电解液浓度不正常。应调整电解液浓度。

  (3)接触点接触不良。应改进接触方式

  接触点烧焦

  (1)镀件与夹具接触不良。应改善接触条件,使其导电性能良好。

  (2)氧化电压过高。应适当降低。

  (3)电解液浓度不正常。应按配方进行调整

  2.镀铝层表面蒸镀一氧化硅保护膜故障的排除

  镀铝层表面呈蓝灰色

  (1)镀铝层偏厚。应适当缩短蒸镀时间。

  (2)真空度太低。应适当提高蒸发时的真空度。

  (3)蒸发速度太慢。应将蒸发速度提高至3x10—3mnl~$。

  (4)蒸发源上无铝,仍继续加热。应补加铝丝或铝箔。

  (5)蒸发源上铝材的纯度太低。应使用纯度为99.9%—99.99%的铝丝或铝箔

  膜层表面发红

  一氧化硅镀膜太薄。应适当延长蒸镀时间

  膜层表面开裂

  (1)一氧化硅的蒸发速度太快。应适当减慢。

  (2)一氧化硅镀膜太厚。应适当减少蒸发时间。一般镀膜厚度为波长l的一半为宜。精密

  控制膜层厚度需用光电膜厚控制仪,简单的方法亦可采用目测。目测法是根据表面的干涉色

  随厚度增厚而变化的规律米控制膜厚,其表面颜色的变化规律为:黄一红一紫一绿一黄一红。

  在蒸镀时,若观察到第二次干涉色为黄色或红色时,立即停止蒸发,即可获得适宜的膜厚。

  (3)镀后热处理工艺条件控制不当。应按缓慢升温和降温的要求进行烘烤处理

  膜层不耐磨

  (1)一氧化硅镀膜太薄。应适当延长一氧化硅膜的蒸发时间。

  (2)镀后热处理工艺控制不当。应按工艺规程进行烘烤

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